项目信息

项目名称：氮化硅LPCVD流片

项目编号：XF-WSBX-******

公告开始日期：2025-05-22 11:21:29

公告截止日期：2025-05-29 13:00:00

******大学

付款方式：货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额

联系人：中标后在我参与的项目中查看

联系电话：中标后在我参与的项目中查看

签约时间要求：成交后3个工作日内

到货时间要求：

预算：￥360000.00

收货地址：

供应商资质要求：符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

公告说明：

采购清单

采购商品：氮化硅LPCVD流片

采购数量：6

计量单位：张

所属分类：电子、通信与自动控制技术研究服务

预算：￥60000.00

技术参数及配置要求：1.\tLPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD线宽控制：200±20 nm；Si3N4侧壁角度：＞86°。
2.\t在400 nm Si3N4上进行刻蚀，刻蚀深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm
3.\tSi3N4上进行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保证SiO2填充完整。
4.\tTiN方块电阻：12ohm/sq。最小CD：2μm 。
5.\tSi3N4单模波导（1μm宽度）传输损耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。
6.\t端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。
7.\t1*2MMI（c波段）：损耗＜0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。
8.\tcrossing（c波段）：损耗＜0.1dB。

售后服务：电话支持: 5x8小时;服务时限:报修后48小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;